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拍摄/第一财经记者王珍 6月29日，韩国政府透露将在该国西南部兴建四座芯片制造厂，总投资额高达800万亿韩元，未来十五年将在新一代存储芯片、边缘人工智能芯片、国防芯片等细分领域最少追加30万亿韩元投入。韩国官员透露，五年之内预计会将DRAM的产能提升一倍，同时预计全球内存市场在五年内将呈现四倍增长的态势。同日，三星电子与SK海力士对外宣布了庞大的资本开支方案，这两家存储巨头未来十年的总投资规模预测将超过1000万亿韩元（折合约4.4243万亿元人民币）。
一位业内资深人士向第一财经记者剖析，韩国的DRAM领军企业即会增加投资，SK海力士的DRAM投资额预计也将实现翻番。从企业具体的行动部署来看，SK海力士打算于7月10日在纳斯达克市场发售美国存托凭证（ADR），6月24日该公司已经公告，拟发行最高额度达45.45万亿韩元（约合2001亿元人民币）的存托凭证，募集的资金将主要用于龙仁半导体集群的一期晶圆厂建设、清州P&T7先进封装厂的建设及设备购置。
三星电子第六代高带宽内存（HBM4）产品在今年的前四个月里销售额就已突破10亿美元大关，预计到6月底其HBM4的销售额有望跨过12亿美元。三星电子6月23日还推出了通用闪存存储（UFS）5.0产品方案，计划于第四季度开始正式投产。
鉴于存储芯片价格持续走高，有美国知名投资银行推测，到2027年每座AI算力数据中心的资本开支总额将整体上升30%。存储芯片价格的持续上扬确实让上游厂商的利润有所增加，但下游的云服务企业的投资回报却在不断下降，市场普遍担忧云服务企业未来能否顺利收回投资，是否会在后期减少存储芯片的长期采购订单。
现阶段，人工智能（AI）大模型的应用正在迅速推广，由此引发的计算能力发展和存储需求增长的态势并未发生改变。群智咨询（Sigmaintell）预计，到2026年全球对DRAM的需求量将达到约400亿GB，整体行业需求仍然能够保持20%以上的增长速度。供给端产能的增长目前仍不及需求的增速，现阶段就断言DRAM、NAND的供需关系已经出现了拐点，或许还为时过早。
值班编辑：苏小
