国家知识产权局的信息透露，厦门未来显示技术研究院有限公司成功获得一项专利，名称为“一种发光外延结构、发光二极管芯片和显示装置”，其授权公告号为CN224419205U，申请日期定在2025年6月。这份专利的摘要内容表明，它提供了一种发光外延结构、发光二极管芯片以及显示装置，属于半导体发光器件技术领域。具体来看，这种发光外延结构的构造包含依次叠加的衬底、N型限制层、有源层、P型限制层和P型GaP窗口层。在P型GaP窗口层的设计上，会嵌入一层AlGaP改善层。又或者，P型GaP窗口层中可以插入至少两层AlGaP改善层，并且这些改善层要在衬底指向P型GaP窗口层的方向上做间隔排列。通过在P型GaP窗口层中至少插入一层AlGaP改善层进行优化，可以减少P型GaP窗口层由于晶格失配而产生的应力，降低P型GaP窗口层中的位错密度，进而提升P型GaP窗口层的晶体质量。这样的改进也促进了发光外延结构的生长质量，最终提高了发光二极管芯片的整体性能。
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