没有EUV光刻机又如何？华为今年会推出3nm水平的芯片！

行业内普遍的看法是，浸润式DUV光刻机产能止步于7nm芯片，再往7nm下方推进，就必须依赖EUV光刻机了。即便是台积电，其第一代7nm产品也是借助DUV光刻机完成的，但第二代7nm工艺就切换到了EUV。原因在于，即便DUV能够制造出7nm芯片，采用该方法生产，需要反复曝光多次，工序变得复杂，周期漫长，良品率不高，成本也居高不下。至于用DUV制造5nm、3nm级别的芯片，理论上说得通，实际上却难上加难。因为曝光次数会急剧增加，工艺难度大大上升，其直接后果是芯片良率更低，成本完全失控。沿用过去的晶体管微缩旧模式，想要依赖DUV生产5nm、3nm芯片，即便能够实现，也没有企业能够负担得起，成本高到令人咋舌。这或许也正是美国禁止销售EUV光刻机的原因所在，美国并不惧怕你用DUV造出5nm、3nm芯片，只要你能造出来，还能承担得起，那随便你用，美国也无所谓，因为他知道，用这种光刻机造出来的芯片根本没有市场竞争力。然而，美国未曾料到的是，我们没有依照它的设想去行动。华为提出了"韬定律"，这是华为过去六年时间里381颗芯片量产经验的结晶。"韬定律"认为，虽然用EUV来微缩晶体管是一个方向，但如果缺少EUV，在晶体管微缩遇到瓶颈的情况下，也有一套替代方案，那就是从底层器件到顶层系统，优化信号传输和处理的时间，以此来提升芯片性能。整个系统中，可以通过压缩各层级的时延，提高信号传输效率，最终实现性能的提高。为此，华为研发了逻辑折叠技术，将晶体管立体化排列，以此与微缩晶体管的效果相仿，同样能实现性能提升和晶体管密度的增加。根据华为的规划，2026年问世的旗舰机型将搭载的"Kirin 2026"芯片，其性能会达到采用EUV光刻的3nm芯片的同等水准。再看看2031年，即便不使用EUV光刻机，华为的麒麟芯片晶体管密度将高达400MTr/mm²+，这个水平会达到采用EUV光刻的1.4nm级别。显然，芯片制造之路并非只有一条，EUV并非万能钥匙。美国的逼迫，将促使我们不断突破，探索出更多的可能性，这或许正是美国所始料未及的地方。接下来，让我们拭目以待，华为的"韬定律"是否将引领中国芯片业改写全球格局，很多人都在关心这个答案，我们也满怀期待。